Conférences

Des Mémoires magnétiques rapides et endurantes pour réduire la consommation de nos circuits électroniques

Par Bernard DIENY, Directeur de recherche SPINTEC, Univ. Grenoble Alpes - CEA/DRF/INAC - CNRS

Résumé:

La consommation électrique des circuits électroniques ne cesse de croître avec les performances de ces derniers. Le problème est particulièrement aigu pour les applications autonomes (téléphones portables, objets communicants, etc) mais aussi pour les fermes de serveurs ou le calcul haute performance. L’électronique de spin qui est un mariage entre l’électronique et le magnétisme peut grandement aider à résoudre ce problème en tirant parti du meilleur des deux mondes : les composants semiconducteurs pour la partie logique et les composants magnétiques pour la partie mémoire. Le magnétisme permet en effet de stocker efficacement une information par l’orientation de l’aimantation de nanostructures magnétiques (comme par exemple dans les disques durs d’ordinateurs). Ainsi, un nouveau type de mémoire magnétique (STT-MRAM pour Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) est en passe de rentrer en production de masse dans l’industrie microélectronique. Ces mémoires sont non-volatiles c’est-à-dire qu’elles peuvent garder l’information sans être alimentées électriquement (contrairement aux mémoires DRAM ou SRAM en technologie silicium couramment utilisées dans les circuits), elles sont rapides (écriture entre 2 et 20ns), quasi infiniment endurantes (>1015 cycles d’écriture) et peuvent être fabriquées au-dessus des circuits logiques. En combinant ces mémoires magnétiques avec les composants logiques semiconducteurs, la consommation statique et dynamique des circuits électroniques peut être fortement réduite. SPINTEC a largement contribué au développement de cette technologie. L’exposé présentera l’état actuel de cette technologie et sera illustré par quelques résultats marquants obtenus au laboratoire.


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juin 16 2017

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